Ampleon CLF3H0035-100宽带射频功率GaN HEMT晶体管 现货
发布时间:2025-04-17 09:31:20 浏览:3902
Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是两款高性能的宽带射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),适用于多种射频功率应用。

产品概述
型号:CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100。
功率:两款晶体管均提供100 W的射频功率。
频率范围:覆盖从直流(DC)到3.5 GHz的宽带频率范围,适用于多种通信和雷达系统。
应用场景:支持连续波(CW)和脉冲应用,适合高功率射频信号的放大和传输。
特点与优势
高功率输出:在1 dB增益压缩点的标称输出功率为100 W,能够满足高功率射频应用的需求。
高效率:在100 W输出功率下,漏极效率典型值为57%,这意味着在高功率输出时仍能保持较低的能耗。
低热阻:采用热增强型封装,能够有效散热,确保在高功率运行时的稳定性和可靠性。
高可靠性:具备出色的坚固性,能够在复杂的环境条件下稳定工作。
宽带操作:设计用于覆盖从直流到3.5 GHz的频率范围,能够满足多种应用需求,如通信、雷达和测试设备等。
符合环保标准:符合RoHS标准,符合环保要求。
参数规格
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值/额定值 | 最大值 | 单位 |
| 频率范围 | frange | - | 0 | - | 3500 | MHz |
| 1 dB增益压缩点的标称输出功率 | PL(1dB) | - | - | 100 | - | W |
| 漏源电压 | VDS | - | - | 50 | - | V |
| 输出功率 | PL | - | - | 118 | - | W |
| 功率增益 | Gp | PL = 100 W | 14 | 15 | - | dB |
| 漏极效率 | ηD | PL = 100 W | 52 | 57 | - | % |
| 输入回波损耗 | RLin | PL = 100 W | -12 | -10 | -8 | dB |
Ampleon是一家全球领先的射频和功率半导体解决方案提供商,提供包括射频功率放大器、收发器、射频开关、驱动电路和功率控制器等在内的广泛产品线,适用于4G LTE、5G NR基础设施、广播、工业等多个领域,深圳市立维创展科技有限公司优势分销Ampleon产品线,欢迎咨询了解。
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