Microchip 1N6461-1N6468系列:500W军用级瞬态电压抑制器(TVS)

发布时间:2025-02-27 09:29:14     浏览:326

  Microchip 的 1N6461-1N6468 系列是 500 W 无空腔密封单向瞬态电压抑制器(TVS),专为高可靠性应用设计,符合 MIL-PRF-19500/551 军用标准。

Microchip 1N6461-1N6468系列:500W军用级瞬态电压抑制器(TVS)

  

 TypeMinimum
Breakdown
Voltage¹
V(Bey at I(aR)
Breakdown
   Current
    l(BR)
Rated
Standoff
Voltage
VwM
Maximum
Standby
Current
lp at VRwM
Maximum
Clamping
Voltage¹
Vcat lpp
Maximum
Peak Pulse
Current¹
lpp
Maximum
Temp.Coef.
    of
  V(BR)
  Cv(BR)

at 8/20
μs
at 10/1000
   μs

VmAV(pk)μAV(pk)A(pk)  A(pk)%/℃
1N64615.6 25 3000 9.0 315 56 0.03,+0.045
1N64626.5 20 2500 11.0 258 46 +0.060 
1N646313.6 12 500 22.6 125 22 +0.085 
1N646416.4 15 500 26.5 107 19 +0.085 
1N646527.0 24 50 41.4 69 12 +0.096 
1N646633.0 30.5 47.5 63 11 +0.098 
1N646743.7 40.3 63.5 45 +0.101 
1N646854.0 51.6 78.5 35 +0.103 

      产品特点

  高可靠性:

  无空腔密封硬玻璃外壳,内部采用“Category 1”冶金连接。

  工作峰值电压(VWM)范围为 5.0 V 至 51.6 V。

  峰值脉冲功率(PPP)为 500 W。

  双层钝化保护。

  符合 MIL-PRF-19500/551 的 JAN、JANTX 和 JANTXV 等级。

  电气特性:

  8/20 µs 波形下的峰值脉冲电流(IPP)范围为 6 A 至 315 A。

  10/1000 µs 波形下的钳制电压(VC)范围为 9.0 V 至 78.5 V。

  反向漏电流(ID)小于 3000 µA。

  封装形式:

  提供轴向引脚封装和表面贴装 MELF 封装。

  封装材料为硬玻璃,具有良好的密封性和耐久性。

  环境适应性:

  工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。

  符合 RoHS 标准(仅商业级)。

  应用场景

  军事和高可靠性应用:适用于对可靠性要求极高的场景。

  ESD 和 EFT 保护:符合 IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-4 标准。

  防雷保护:能够抵御雷电引起的二次效应。

  工业应用:如传感器信号线、MOSFET 保护等。

Microsemi 是美国高可靠性电子元器件厂商,其军级二三级管产品,被广泛应用于全球高端市场,深圳市立维创展科技有限公司,授权代理销售Microsemi军级二三级产品,大量原装现货,欢迎咨询。

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