Solitron Devices 2N2880军标级NPN功率晶体管
发布时间:2025-02-25 09:17:16 浏览:178
2N2880是一款由Solitron Devices公司生产的NPN型功率晶体管,采用TO-59封装形式。它具有低导通电阻、低饱和电压、低漏电流和低驱动需求等特点,广泛应用于高压逆变器、转换器、开关稳压器和线路驱动放大器等设备中。
2. 主要特性
符合军用标准:符合MIL-PRF-19500/315标准,适用于高可靠性应用。
低导通电阻:降低功率损耗,提高效率。
低饱和电压:在高电流下保持低电压降。
高频率响应与快速切换:适用于高频开关应用。
高电流增益:提供稳定的电流放大能力。
安全工作区域:在高电压和高电流条件下保持稳定运行。
高频应用:适用于开关电源和高频逆变器。
3. 电气参数
参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | - | 80 | Vdc |
集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | - | 110 | Vdc |
发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | - | 8 | Vdc |
集电极-发射极截止电流 | ICEO | - | 20 | µA |
发射极-基极截止电流 | IEBO | - | 0.2 | µA |
正向电流传输比 | hFE | 40 | 120 | - |
集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | 0.25 | 1.5 | Vdc |
基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | - | 1.2 | Vdc |
热阻 | RθJC | - | 3.33 | °C/W |
输出电容 | Cobo | - | 150 | pF |
脉冲上升时间 | tr | - | 300 | ns |
脉冲下降时间 | tf | - | 300 | ns |
4. 封装与尺寸
封装类型:TO-59
尺寸:2.29 mm*8.08 mm*11.10 mm(长*宽*高)
5. 应用领域
2N2880适用于以下领域:
高压逆变器:用于高效能量转换。
开关电源:提供快速切换能力。
高频转换器:适用于高频电路设计。
线路驱动放大器:用于高电压放大应用。
6. 订购信息
2N2880提供多种订购选项,包括:
JAN2N2880
JANTX2N2880
JANTXV2N2880
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