Ampleon CLF24H4LS300P大功率晶体管
发布时间:2025-01-28 10:18:55 浏览:445
Ampleon CLF24H4LS300P是300W的GaN-SiC HEMT(高电子迁移率晶体管)功率晶体管,优化了连续波(CW)功率和效率,适用于2400 MHz至2500 MHz频率范围内的烹饪、工业、科学和医疗应用。
特性和优势
高效率:在CW和CW脉冲条件下表现出色。
优秀的坚固性:在CW和CW脉冲条件下具有出色的坚固性。
宽带操作:设计用于2400 MHz至2500 MHz的宽带操作。
内部输入匹配:无需外部匹配网络。
符合RoHS合规性:产品符合限制有害物质使用的法规要求。
应用
RF功率放大器:适用于2400 MHz至2500 MHz频率范围内的连续波应用,如商业和消费烹饪、工业、科学和医疗应用。
性能参数
RF性能:在VDS = 50V,VGS = -5V,环境温度25°C的类AB/类C应用电路中测试。
连续波(CW):在2400至2500 MHz频率下,输出功率为320W,增益为14dB,效率为74%。
CW脉冲:在2400至2500 MHz频率下,输出功率为350W,增益为14dB,效率为75%。
封装:SOT1214B:无耳法兰陶瓷封装,4引脚。
限制值
VDD:源极电压操作,52V。
VDS:漏极-源极电压,150V。
VGS:栅极-源极电压,-15V至+2V。
IGF:正向栅极电流,43.2 mA。
Tstg:存储温度,-65°C至+150°C。
Tch:活动芯片通道温度,225°C。
热特性
Rth(s-c)(IR):红外测量的从活性芯片表面到外壳的热阻,0.40 K/W。
Rth(ch-c)(FEA):有限元分析的从活性芯片通道到外壳的热阻,0.58 K/W。
电气特性
VGS(th):栅极-源极阈值电压,-3.12V至-2.32V。
VGSq:栅极-源极静态电压,-3V至-2.2V。
ID(leak):漏极漏电流,7.55 mA。
IGSS:栅极漏电流,1.51 mA。
IDSX:漏极截止电流,22.4 A。
RF特性
Gp:功率增益15 dB。
RLin:输入回波损耗-10 dB。
ηD:漏极效率70%。
测试应用信息
测试电路:使用Rogers TC350 PCB,介电常数3.5,厚度0.508 mm,铜镀层35 μm。
Ampleon是一家全球领先的射频和功率半导体解决方案提供商,提供包括射频功率放大器、收发器、射频开关、驱动电路和功率控制器等在内的广泛产品线,适用于4G LTE、5G NR基础设施、广播、工业等多个领域,深圳市立维创展科技有限公司优势分销Ampleon产品线,欢迎咨询了解。
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