Linear Integrated Systems(LIS)推出的LS840, LS841, LS842是一款低噪声、低漂移、低电容的单片双N沟道JFET放大器，专为满足高性能模拟信号处理的需求而设计。这些放大器具有多方面的优异电气特性，适用于各种精密电子应用。

　　关键特性：

　　超低噪声：典型噪声密度低至8nV/√Hz，适合对噪声敏感的应用。

　　超低漏电流：典型漏电流仅为10pA，有助于降低功耗和提高信号完整性。

　　低温度漂移：最大温度漂移为5µV/°C，确保在宽温度范围内的性能稳定。

　　低偏移电压：典型偏移电压为2mV，有助于提高信号的精确度。

　　宽温度工作范围：存储温度范围为-55°C至+150°C，工作结温范围同样宽至-55°C至+150°C，适合极端环境下的应用。

　　高可靠性：LIS公司提供超过三十年的质量和创新保证。

　　电气性能：

　　最大电压和电流承受能力：VGSS(栅极到源极电压)可达60V，IG(f)(栅极正向电流)为10mA。

　　最大功耗：在自由空气中的总功耗为400mW(环境温度TA=+25°C)。

　　高跨导：全导通跨导(Gfs)在1000至4000 µS范围内，典型导通跨导(Gfs)为500至1000 µS(VDG= 20V, ID= 200µA)。

　　高共模抑制比(CMRR)：在VDS= 10到20V, ID=200µA时，CMRR大于100dB;在VDS= 5到10V, ID=200µA时，CMRR大于75dB。

　　低噪声系数：噪声系数(NF)为0.5 dB(VDS= 20V, VGS= 0, f= 100Hz, NBW= 6Hz)，噪声电压密度(en)为10至15 nV/Hz(VDS= 20V, ID= 200µA)。

　　封装选项：

　　提供多种封装选项，包括TO-71、TO-78、P-DIP和SOIC。

　　应用领域：

　　这些JFET放大器适用于音频放大、精密测量设备、传感器信号调理等需要高精度和高可靠性的应用。

　　订购信息

　　LS840 TO-71 6L RoHS

　　LS841 TO-71 6L RoHS

　　LS842 TO-71 6L RoHS

　　LS840 TO-78 6L RoHS

　　LS841 TO-78 6L RoHS

　　LS842 TO-78 6L RoHS

　　LS840 PDIP 8L RoHS

　　LS841 PDIP 8L RoHS

　　LS842 PDIP 8L RoHS

　　LS840 SOIC 8L RoHS

　　LS841 SOIC 8L RoHS

　　LS842 SOIC 8L RoHS

　　LS840 Die

　　LS841 Die

　　LS842 Die

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