IRF540NPBF单N沟道功率MOSFET
发布时间:2024-09-11 09:17:13 浏览:997
IRF540NPBF是一款采用TO-220封装的单N沟道功率MOSFET,具有100V的电压额定值。以下是对该器件的详细介绍:
封装与基本参数
封装类型: TO-220
极性: N沟道
最大漏源电压 (VDS): 100V
最大漏极电流 (ID): 33A (@25°C)
最大功耗 (Ptot): 140W
最大结温 (Tj): 175°C
最大热阻 (RthJC): 1.1K/W
最大栅源电压 (VGS): 20V
栅源阈值电压 (VGS(th)): 3V (最小) 到 4V (最大)
关键特性
1. 平面单元结构: 具有宽安全工作区(SOA),适合高电压和高电流应用。
2. 优化可用性: 针对分销合作伙伴提供最广泛的可用性进行了优化,便于采购。
3. 符合JEDEC标准: 产品认证符合行业标准,确保质量和可靠性。
4. 低频应用优化: 针对开关频率低于100kHz的应用进行了硅优化,适用于低频功率转换。
5. 高电流额定值: 能够处理高达33A的电流,适合高功率应用。
优势
1. 更高的耐用性: 宽SOA和平面单元结构提供了更高的耐用性和可靠性。
2. 广泛可用性: 通过分销合作伙伴,该器件具有广泛的可用性,便于采购。
3. 行业标准资质: 符合JEDEC标准,确保产品的质量和可靠性。
4. 低频高性能: 在低频应用中表现出色,适合各种功率转换应用。
5. 标准引脚布局: 标准引脚布局允许直接更换,便于设计集成。
6. 高电流能力: 能够处理高电流,适合高功率应用。
应用
直流电机驱动
逆变器
开关电源 (SMPS)
照明系统
负载开关
电池供电应用
IR HiRel原为美国知名半导体品牌,现被Infineon收购。深圳市立维创展科技有限公司,优势渠道供货IR高可靠性系列产品,欢迎各界前来咨询。
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