Solitron SMF178 500V N沟道功率MOSFET

发布时间：2024-08-14 09:06:33     浏览：482

　　Solitron SMF178 是一款高性能的 500V n沟道功率MOSFET，专为需要高电压和高电流处理能力的应用而设计。该器件采用了先进的半导体技术，提供了出色的电气特性和可靠性，使其成为各种工业和消费电子应用中的理想选择。

Solitron SMF178 500V N沟道功率MOSFET

　　主要特性

　　漏极电流(I_D)：23A。

　　导通电阻(R_DS(on))：260mΩ。

　　快恢复二极管：内置的快恢复二极管提高了开关速度，减少了开关损耗。

　　雪崩额定：具备雪崩能力，增强了在极端电气条件下的可靠性。

　　TO-254 密封封装：坚固的封装设计。

　　背面隔离：提供额外的电气隔离。

　　可用 JAN/TX, JAN/TXV 筛选：符合严格的筛选标准。

　　绝对最大额定值

　　漏-源电压 (V_DS)：500V。

　　栅-源电压 (V_GS)：±30V(脉冲)。

　　漏极电流(I_DS，连续)：23A。

　　功率耗散(P_D)：280W。

　　工作结及储存温度范围(T_J, T_STG)：-55°C~150°C。

　　电气特性

　　漏-源击穿电压 (V(BR)DSS)：500V(典型。

　　栅极开启电压 (V_GS(th))：2 ~ 5V。

　　漏-源关态电流 (I_DSS)：最大100µA(V_DS=400V，V_GS=0V)，最大250µA(V_DS=400V，V_GS=0V，T_J=125°C。

　　栅-源漏电流 (I_GSS)：最大100nA。

　　全电荷(Q_g)：最大150nC。

　　时间特性：转换时间非常短(开通时间t_on最大100ns, 关断时间t_off最大250ns)。

　　热阻(R_thJC)：最大0.445°C/W。

　　内部二极管特性

　　二极管正向电压 (V_SD)：最大1.8V (I_SD=23A, V_GS=0V)，确保低正向电压降。

　　二极管反向恢复时间 (t_rr)：典型300ns，提高了二极管的恢复速度。

　　Solitron SMF178 500V n沟道功率MOSFET 是一款高性能的半导体器件，适用于各种需要高电压和高电流处理能力的应用。其出色的电气特性、快速切换能力和可靠性使其成为工业和消费电子领域的理想选择。无论是用于电源管理、电机控制还是其他高功率应用，SMF178 都能提供卓越的性能和稳定性。

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