Solitron SD11720 N沟道功率MOSFET

发布时间：2024-07-22 10:19:25     浏览：2879

　　SD11720是一款由Solitron Devices, Inc.推出的SiC N沟道功率MOSFET，专为高效率和高可靠性的功率电子应用设计。该器件采用了先进的碳化硅(SiC)技术，提供了卓越的电气性能和热性能，使其成为各种工业和能源应用的理想选择。

Solitron SD11720 N沟道功率MOSFET

　　主要特点(Key Features)

　　漏极电流 (I_D): 58A

　　导通状态电阻 (R_DS(on)): 50mΩ

　　封装类型: TO-247-3 塑料封装

　　优势(Benefits)

　　SD11720 MOSFET具有多项显著优势，包括：

　　低导通电阻的高阻断电压: 这使得器件在高压应用中能够提供高效率和低损耗。

　　低电容的高速开关: 高速开关能力减少了开关损耗，提高了整体系统效率。

　　高工作结温能力: 能够在高达175°C的结温下工作，增强了器件的可靠性和耐久性。

　　较强的内置体二极管性能: 这对于需要反向恢复特性的应用尤为重要。

　　应用(Applications)

　　SD11720 MOSFET广泛应用于以下领域：

　　- 太阳能逆变器

　　- 不间断电源 (UPS)

　　- 电机驱动器

　　- 高电压直流/直流转换器

　　- 开关模式电源

　　绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings)

SYMBOL CHARACTERISTIC                        TEST CONDITIONS                        VALUE    UNIT
VosmxDrain-Source VoltageVs=0V,I=100μA1200 V

Gate-SourceVoltageAbsolute maximum values-5/+20V
lContinuous Drain Current (see fig.21)V=20V,T=25℃
Vs=20V,T[=100℃		58
43
A
A
D,pulsePulsed Drain Current     (see fig.24)Pulse Width Limited by SOA15 A
PMaximum Power Dissipation (see fig.22)T=25℃327 W
T,TsmJunction Temperature,Operatingand Storage
-55 to +175℃
ISolder TemperatureWave solderingonly allowed at leads,1.6mm from
case for 10s		260 ℃

　　SD11720 MOSFET的高性能和广泛的应用范围使其成为功率电子领域的关键组件。无论是用于太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器还是高电压DC/DC转换器，SD11720都能提供卓越的性能和可靠性，满足现代功率电子系统对高效率和高可靠性的要求。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。

上一篇: PmT-NSN-225-400MHz UHF放大器Princeton Microwave

下一篇: VY1222M47Y5UQ6TV0陶瓷圆片电容器VISHAY

推荐资讯

  • onsemi SiC MOSFET NTBG014N120M3P
    onsemi SiC MOSFET NTBG014N120M3P 2026-01-04 09:09:06

    Onsemi的NTBG014N120M3P是第三代1200V EliteSiC沟槽MOSFET，采用D²PAK-7L封装，具有14mΩ超低导通电阻（25°C时150A连续电流），专为高频高效设计，开关损耗仅1.95mJ（开通1331μJ/关断620μJ），栅极电荷377nC，支持40kHz以上开关频率；其优势包括：175°C高温下导通电阻29mΩ、418mJ单脉冲雪崩能量、0.23°C/W超低热阻，工作结温-55~175°C，兼容标准SiC驱动器，广泛应用于光伏逆变器、EV快充、储能系统等高压高效场景。

  • CuClad® 6250粘结膜Rogers
    CuClad® 6250粘结膜Rogers 2023-03-02 16:52:40

    Rogers​ CuClad®6250粘结膜是种低熔点聚乙烯膜，设计适用于带状线或其它多层电源电路应用与CuClad层压板相结合。

在线留言

在线留言