SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET

发布时间:2024-07-03 09:18:47     浏览:449

SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET

  Solitron Devices SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET的主要特点和技术规格如下:

  高阻断电压与低通态电阻:该MOSFET具有高达1200V的阻断电压(Vs = 1200V),并且具有低通态电阻(Ros(on) = 50 mΩ),这意味着在开关状态切换时能够减小功耗,提高效率。

  高速开关与低电容:SD11721适合高速开关应用,并且具有低电容特性,这有助于减少开关过程中的能量损失。

  高操作结温能力:该MOSFET能够在高温环境下工作,其操作结温范围达到-55℃至+175℃。

  快速而健壮的内置体二极管:这是该MOSFET的一个重要特点,能够快速且有效地处理反向电流。

  优化的塑料封装:采用TO-247-4塑料封装,具有优化的封装设计和分离的驱动源引脚(4-G),以及8mm的漏极和源极之间的爬电距离(creepage distance),确保了在高温和高湿等恶劣环境下的稳定性和可靠性。

  应用广泛:SD11721适用于多种应用,包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压DC/DC转换器以及开关模式电源等。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展

推荐资讯

  • PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X压控晶体振荡器VCXO
    PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X压控晶体振荡器VCXO 2024-06-27 09:17:42

    PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X是一款高性能压控晶体振荡器(VCXO),适用于通信、测试设备、测量仪器等领域。它提供0.75MHz至160MHz的宽频率范围,支持5.0V或3.3V供电电压,具有±50ppm的频率调整能力,低相位噪声性能,快速响应时间,以及灵活的输出配置。这款VCXO特别适合需要高精度频率控制和低相位噪声的应用,如无线通信、卫星通信、测试设备、医疗设备和工业控制等。

  • PEX89144交换机Broadcom博通
    PEX89144交换机Broadcom博通 2024-08-26 09:58:02

    Broadcom PEX89144交换机,基于PCIe Gen 5.0技术,提供高达1024 Gb/s带宽,适用于AI/ML和服务器存储系统,具有低延迟、高效率和灵活拓扑,支持NVMe和超大规模计算系统。

在线留言

在线留言