SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET
发布时间:2024-07-03 09:18:47 浏览:448
Solitron Devices SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET的主要特点和技术规格如下:
高阻断电压与低通态电阻:该MOSFET具有高达1200V的阻断电压(Vs = 1200V),并且具有低通态电阻(Ros(on) = 50 mΩ),这意味着在开关状态切换时能够减小功耗,提高效率。
高速开关与低电容:SD11721适合高速开关应用,并且具有低电容特性,这有助于减少开关过程中的能量损失。
高操作结温能力:该MOSFET能够在高温环境下工作,其操作结温范围达到-55℃至+175℃。
快速而健壮的内置体二极管:这是该MOSFET的一个重要特点,能够快速且有效地处理反向电流。
优化的塑料封装:采用TO-247-4塑料封装,具有优化的封装设计和分离的驱动源引脚(4-G),以及8mm的漏极和源极之间的爬电距离(creepage distance),确保了在高温和高湿等恶劣环境下的稳定性和可靠性。
应用广泛:SD11721适用于多种应用,包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压DC/DC转换器以及开关模式电源等。
更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询立维创展。
推荐资讯
R5F51406ADFN#10微控制器是Renesas RX100系列中的RX140系列产品,特点包括:搭载RXv2内核,工作频率高达48MHz,性能是前代的两倍;功耗低,运行时56μA/MHz,待机0.25μA;具备先进的触摸技术,抗噪性和防水性强;外设功能丰富,包括CAN、AES加密和随机数发生器;适用于家用电器、工业控制和楼宇自动化等高精度和能效要求的环境。
JANS1N7058CCU3是高可靠性肖特基二极管,封装在SMD-0.5陶瓷中,适用于高频开关电源和谐振电源转换器。具有密封设计、中心抽头结构、低正向压降、防静电等级良好等特点。最大整流电流30A,最大反向漏电流0.02mA,最大反向工作电压150V。符合MIL-PRF-19500测试标准。
在线留言