DG2722DN-T1-E4模拟开关Vishay

发布时间:2024-06-06 09:19:35     浏览:1323

 DG2722DN-T1-E4模拟开关Vishay

Vishay DG2722DN-T1-E4是一款针对USB 2.0信号切换优化的2端口高速模拟开关。以下是关于DG2722DN-T1-E4模拟开关的主要特点和特性:

  1. 优化设计:专为USB 2.0信号切换而设计,具有双向信号流功能。

  2. 高带宽:实现900MHz的-3dB带宽。

  3. 低串扰和隔离:端口间串扰和隔离达到-49dB。

  4. 低相位失真:提供最小相位失真路由,位到位倾斜为40ps。

  5. 宽工作电压范围:适用于2.7V至4.3V的宽工作电压范围,可单节锂离子电池供电。

  6. 防短路设计:片上电路可防止D+/D-线在USB端口上短接发生。

  7. 高ESD保护:符合8kV的ESD容限标准。

  8. 封装特性:采用超小型miniQFN-10封装,适用于便携式高速混合信号交换应用。

  9. 环保标准:无铅设备终端,符合RoHS指令要求。

  10. 应用领域:适用于移动电话、便携式媒体播放器、掌上电脑、数码相机、全球定位系统、笔记本电脑、电视、显示器和机顶盒等。

相关推荐:

Vishay威世VS-FC270SA20功率MOSFET模块 

Vishay STH军用H级湿式钽电容器 

Vishay TSMP97000红外接收器模块 

更多vishay相关产品信息可咨询立维创展

推荐资讯

  • IR HiRel针对极端环境的高可靠性电源转换和RF解决方案
    IR HiRel针对极端环境的高可靠性电源转换和RF解决方案 2020-11-06 16:52:43

    ​IR HiRel以前是美国著名的半导体品牌,现在被英飞凌收购。英飞凌是半导体解决方案的全球领先者。英飞凌解决方案使生活变得更容易、更安全和更环保。

  • Infineon英飞凌IRF5NJZ48单N沟道功率MOSFET
    Infineon英飞凌IRF5NJZ48单N沟道功率MOSFET 2024-04-08 09:57:54

    IRF5NJZ48是International Rectifier推出的第五代HEXFET功率MOSFET,适用于开关电源、电机控制、逆变器等领域。具有低RDS(上)、高雪崩能量、优秀动态dv/dt值等特点。采用55V单N沟道Hi-Rel MOSFET,在SMD-0.5封装中密封,适用于严苛环境。

在线留言

在线留言