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  IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

  ​IR-HiRel​氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

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  92ML StaCool热增强层压板和预浸料系统Rogers 2024-06-26 09:09:13

  92ML StaCool电路板材料是罗杰斯公司生产的高性能层压板和预浸料系统，专为高功率应用设计，具有无卤素、阻燃和导热特性。基于环氧树脂体系92ML层压材料可提供高达4盎司铜包层，具有高导热性(3.5 W/mK面内)，高玻璃化转变温度(160°C)和低Z轴热膨胀系数(22 ppm/°C)，确保承受无铅焊料暴露和电路板可靠性测试。适用于高功率和工作温度应用，如LED模块、汽车照明、功率器件等。