SD211DE/SST211/SST213/SST215高速N沟道横向DMOS FET开关Linear Systems
发布时间:2024-04-28 09:39:53 浏览:3277
Linear Systems的SD211DE/SST211/SST213/SST215系列是由增强型MOSFET组成的高速N沟道横向DMOS (Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) FET开关。
这些器件的特点包括超快的开关速度(1ns)、极低的反电容(0.2pF)、适用于5V模拟制造可靠性、低导通阈值电压以及n沟道增强模式。

其主要优点包括高速系统性能、在高频下低插入损耗、低传输信号损耗、简单的驱动要求以及单电源操作。这些特性使得该系列产品非常适用于快速模拟开关、快速取样保持、Pixel-Rate切换、DAC Deglitchers和高速的驱动器等应用场景。
与SD211DE/SST211/SST213/SST215类似的产品还包括四阵列- SD5000/5400系列,以及采用横向结构实现低电容和超保护的SD210DE/214DE等产品。
PART NUMBER | V(BR)DS Min (V) | V(os)em Max (V) | FDS(on) Max (Q) | Css Max(pF) | toN Max (ns) |
SD211DE | 30 | 1.5 | 45 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SD213DE | 10 | 1.5 | 45 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SD215DE | 20 | 1.5 | 45 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SST211 | 30 | 1.5 | 50 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SST213 | 10 | 1.5 | 50 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
SST215 | 20 | 1.5 | 50 @ Vas=10V | 0.5 | 2 |
相关推荐:
立维创展优势代理Linear Systems产品,价格优惠,欢迎咨询。
推荐资讯
对比Lattice ECP5与ECP5-5G在SERDES速率、逻辑容量、接口协议、核心电压和型号命名方面的区别,并介绍LFE5U、LFE5UM和LFE5UM5G系列选型。
RO4003C™、RO4350B™和RO4835™层压板是罗杰斯公司的高性能材料,因其卓越的电气性能和机械稳定性被广泛应用于高频、高功率和高速度的应用领域,如高频通信设备、高速数字电路、汽车电子和航空航天,本文详细介绍了这些材料的加工指南,包括储存条件、内层制作、钻孔、PTH制程、镀铜和外层加工、最终金属表面处理以及外形加工等步骤。
在线留言