F3L150R07W2E3_B11三级相位支路IGBT模块Infineon英飞凌
发布时间:2024-04-26 09:15:51 浏览:48
F3L150R07W2E3_B11是一款由Infineon英飞凌公司推出的三级相位支路IGBT模块,具有以下特点和优势:
特征描述:
1. 采用第三代 TRENCHSTOP™ IGBT技术,提高了阻断电压能力,达到650V;
2. 低电感设计,有助于减少系统中的电磁干扰;
3. 低开关损耗,有助于提高效率和节能;
4. 低 VCEsat,减少了功率损耗;
5. 采用低热阻Al2O3基板,有助于散热,提高性能稳定性;
6. 紧凑型设计,占用空间小,适合需要高集成度的应用;
7. PressFIT 压接技术,方便安装维护;
8. 集成的安装夹使安装更坚固,提高了系统的可靠性。
优势:
1. 紧凑模块的概念,适合空间有限的应用场合;
2. 优化客户的开发周期,降低成本,有助于客户节约时间和成本;
3. 灵活的配置,可以满足不同客户的需求,提供个性化的选择。
onfiguration | 3-level |
Dimensions (width) | 48 mm |
Dimensions (length) | 56.7 mm |
Features | PressFIT ; Phase leg |
Housing | EasyPACK™ 2B |
IC(nom) / IF(nom) | 150 A |
IC max | 150 A |
Qualification | Industrial |
Technology | IGBT3 - E3 |
VCE(sat) (Tvj=25°C typ) | 1.45 V |
VCES / VRRM | 650 V |
VF (Tvj=25°C typ) | 1.55 V |
Voltage Class max | 650 V |
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