1200V IGBT-SD11428带SiC肖特基体二极管solitron

发布时间：2023-12-26 15:39:03     浏览：648

solitron SD11428是一款集成了碳化硅肖特基势垒二极管的1200V IGBT。这款坚固耐用的 IGBT 采用扁平 <0.300 高 TO-3 “Co-Pack”封装，这种坚固耐用的IGBT/肖特基组合非常适合高可靠性、高密度应用，包括交流电机驱动器、不间断电源、开关模式和谐振模式电源、感应加热、泵和风扇。

Solitron的“Co-Packs”将MOSFET、IGBT和肖特基二极管等功能组合到一个封装中，并提供了最大的空间节省、效率和可靠性。减少组件数量和互连、改善热性能和减少电感耦合是“Co-Pack”技术的一些优势。

碳化硅 (SiC) 等化合物半导体正迅速成为硅的理想继任者，满足当今电源应用对更高效率和功率处理能力的需求。这些功率器件代表了下一代高禁带半导体技术，具有更高的击穿电压、更快的开关速度和更低的电阻率，远远超过了硅器件的性能。更高的开关频率可以减小电感器、电容器、滤波器和变压器等元件的尺寸。Solitron的SiC解决方案可在超过200°C的温度下工作，非常适合空间受限的恶劣环境应用。

1200V IGBT-SD11428带SiC肖特基体二极管solitron

特征：

■ 1200V IGBT带SiC肖特基体二极管 | 22A 连续电流

■ 低栅极电荷 47nC

■ 易于并联

■ 薄型TO-3密封封装(<0.300“最大高度)

■ 工作温度范围 -55C至+125C


应用：

· 交流电机驱动器

· 不间断电源

· 开关模式和谐振模式电源

· 感应加热

· 泵、风扇


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