Infineon英飞凌高压通用型N沟道功率MOSFET

发布时间:2023-12-18 09:25:13     浏览:2567

英飞凌高功率 MOSFET 精选产品组合提供简单且具有价格竞争力的解决方案,这些解决方案应用广泛并且质量可靠。通用高功率MOSFET产品组合涵盖 500 V 至 900 V 的电压等级以及 RDS(on) 值在 180 mΩ 到 3400 mΩ 之间的多种型号器件,产品组合支持 10 余种不同封装,例如 TO-252、SOT-223 和TO-247、 TO-220(FullPAK、FullPAK 窄引线)等多种类型。

Infineon英飞凌高压通用型N沟道功率MOSFET

英飞凌的高压 N 沟道 MOSFET 非常适合以下应用:

- SMPS

- 充电器和适配器 - 照明

- 服务器/电信

- 电视电源

- 等等


产品选型:

IPD70R600P7SIPD60R180P7SIPA65R1K0CEIPW90R500C3SPD02N80C3IPD50R3K0CE
IPP50R190CEIPD70R900P7SIPN60R2K1CEIPD60R1K0CESPA06N80C3IPA80R650CE
IPD50R950CEIPD70R360P7SSPW20N60C3IPD60R3K4CESPP04N80C3SPD03N60C3
IPD60R280P7SIPA50R280CEIPAN70R750P7SIPU60R1K5CESPD04N80C3SPW55N80C3
IPP50R380CEIPA60R280P7SIPI90R340C3IPA65R400CEIPD50R650CEIPA80R1K4CE
IPD50R280CEIPN70R360P7SIPA60R650CEIPA80R1K0CEIPU60R2K1CEIPP90R800C3
IPAN70R600P7SIPD60R360P7SSPB20N60C3IPD50R500CEIPN70R450P7SSPP08N80C3
IPD50R380CEIPN60R600P7SIPA60R400CEIPS70R600P7SIPW90R120C3SPD07N60C3
IPA50R500CEIPN70R600P7SIPB90R340C3IPN70R1K5CESPP11N60C3IPD60R2K1CE
IPA70R600P7SIPN50R1K4CEIPA65R650CEIPA90R500C3IPD60R1K5CE
IPD70R1K4P7SIPN60R360P7SSPP15N60C3IPN60R1K5CESPW17N80C3
IPA70R360P7SIPA50R950CESPA07N60C3IPD80R1K4CEIPD60R650CE
IPN50R2K0CEIPAN70R360P7SIPD65R400CEIPA60R1K0CEIPD60R400CE
IPD60R600P7SSPA20N60C3IPA80R310CEIPN60R1K0CESPP07N60C3
IPP50R280CESPA11N60C3IPA90R340C3SPD06N80C3IPP90R340C3
IPS70R1K4P7SSPP17N80C3IPA80R460CEIPD60R800CESPP06N80C3


深圳市立维创展科技有限公司公司,优势分销Infineon英飞凌部分产品线,快速交付,欢迎联系。

推荐资讯

  • DEI1016 收发器DEI
    DEI1016 收发器DEI 2022-11-22 17:01:41

    DEI​的DEI1016提供了标准化航电系统类型串行数字数据总线和16位宽数字数据总线之间的数据接口。DEI1016通过一个具有8X32位缓冲区的单通道接收器、两个单独的收发通道和一个用作选择操作选项的服务器可编程控制器存储器组合而成。

  • DEI 700系列20V双极模拟/混合信号ASIC
    DEI 700系列20V双极模拟/混合信号ASIC 2025-07-28 09:09:38

    DEI 700系列是一款半定制20V双极模拟/混合信号ASIC,采用4微米金属层先进工艺,支持放大器、比较器、稳压器等设计。其晶体管性能(NPN β=200/fT=800MHz,PNP β=40-90/fT=15MHz)及750Ω高精度电阻网络(匹配精度2%)提供高灵活性,支持金属掩模快速定制。电气规格涵盖20V电源、-55°C至125°C工作温度及2000V ESD防护,封装选项包括DIP、SOIC等(8-48脚),典型应用涉及跨导放大器(20MHz带宽)、运算放大器(88dB增益)及555定时器等混合信号系统。

在线留言

在线留言