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  IR HiRel GaN HEMT –氮化镓晶体管 2021-02-22 17:15:14

  ​IR-HiRel​氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容，非常适合于高速开关。IR-HiRel不仅节省了功率，降低了系统的整体成本，而且允许更高的工作频率，提高了功率密度和系统的整体效率。

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  6035HTC：Rogers高功率应用射频微波高频层压板材料 2025-08-18 08:39:35

  Rogers 6035HTC是一种陶瓷填充PTFE高频层压板，具有优异的钻孔加工性和热导率（1.44W/mK），适用于8-40GHz高功率射频器件（如放大器、滤波器），提供多种厚度/铜箔选项，介电常数稳定（3.5），损耗低（0.0013），尺寸305×457mm/610×457mm。