DEI线路驱动器DEI5x7x系列

发布时间:2022-03-09 17:00:08     浏览:2106

DEI DEI5x7x系列CMOS集成电路是制作应用于直接控制ARINC429航空电子串行数字数据总线的线路驱动器。DEI DEI5x7x系列将TTL/CMOS串行输入数据交换为ARINC数据总线的三电平RZ双极性差分调试格式。一个TTL/CMOS调节输入为HI(100KBS)LOW(12.5KBS)速率使用选择输出压摆率。不需要外界定时电容器。5070具备内部37.5欧姆输出电阻器,5071具备27.5欧姆电阻器,5072具备7.5欧姆电阻器,而5270具备两个驱动器及其所有的输出电阻器选项。27.57.5欧姆选项需要外界串联电阻,通常应用于实现瞬态电压保护数据网络。

特征

TTL/CMOSARINC429线路驱动器。

速率调节输入设定Hi(100KBS)Lo(12.5KBS)速度转换速率。

选用±5V电源供电。

控制完整的ARINC负载。

输出电阻选项:7.527.537.5欧姆。

套餐:

8LSOIC裸焊盘(单控制)

38LMLPQ(QFN)(双控制)

属性

温度范围:-5585

产品封装类型:8EPSOICG

频道:1

供电范围:3.3

停产年限:10

霍尔特外界参考:HI-8570&HI-8593

输出电阻:37.5

封装描述:8PinSOICEP,ISO,.150Body

封装类型:表面贴装

JEDEC :MS-012-AA

深圳市立维创展科技有限公司,优势提供DEI高端芯片订购渠道,部分准备有现货库存。

详情了解DEI请点击:http //www.ldteq.com/public/brand/53.html

DEI.png

部分

温度范围

产品包装类型

输出电阻

DEI5070-SES-G

-55 85

8 EP SOIC G

37.5

DEI5070-SMS-G

-55 125

8 EP SOIC G

37.5

DEI5071-SES-G

-55 85

8 EP SOIC G

27.5

DEI5071-SMS-G

-55 125

8 EP SOIC G

27.5

DEI5072-SES-G

-55 85

8 EP SOIC G

7.5

DEI5072-SMS-G

-55 125

8 EP SOIC G

7.5

DEI5090-MES-G

-55 85

16 4X4 I MLPQ G

用户可选:537.5

DEI5090-MMS-G

-55 125

16 4X4 I MLPQ G

用户可选:537.5

DEI5090-SES-G

-55 85

16 SOIC NB G

用户可选:537.5

DEI5090-SMS-G

-55 125

16 SOIC NB G

用户可选:537.5

DEI5097-SES-G

-55 85

16 SOICW I EP G

37.5

DEI5270-MES-G

-55 85

38 5x7 I MLPQ G

用户可选:7.527.5 37.5

DEI5270-MMS-G

-55 125

38 5x7 I MLPQ G

用户可选:7.527.5 37.5


推荐资讯

  • Ampleon BLF242功率MOS晶体管
    Ampleon BLF242功率MOS晶体管 2024-05-17 09:30:02

    Ampleon BLF242功率MOS晶体管是一款专为HF/VHF发射器设计的硅N沟道增强模式垂直D-MOS晶体管,具有高功率增益、低噪音、良好的热稳定性和可靠性。它适用于25200兆赫频率范围,提供13-16分贝的功率增益和50-60%的漏极效率,适用于专业发射器应用。

  • Vishay 109D系列湿式钽电容器
    Vishay 109D系列湿式钽电容器 2025-01-16 08:48:27

    Vishay 109D系列湿式钽电容器是面向工业、汽车和电信应用设计的高性能电容器,采用烧结阳极TANTALEX™技术,有轴向通孔引脚,提供标准锡/铅(SnPb)和100%锡(符合RoHS标准)两种端子选项,能在 -55°C至 +125°C宽温度范围稳定工作,还给出了应用领域及订购指南 。

在线留言

在线留言