MICRON DDR4 内存

发布时间:2021-06-04 17:07:48     浏览:1065

MICRON DDR4内存是全新一代的存储空间标准规范。201114日,三星电子完成了其在历史上第一款DDR4存储空间,MICRON DDR4DDR3有三大区别:16位预取机制(DDR38位),在同样内核频率下,理论研究速度是DDR3的两倍;传输数据标准规范更加安全可靠,数据安全可靠性进一步提升,工作中电压降为1.2V,更环保节能。

MICRON DDR4DRAM的下一代演进,提供更强的性能指标和更强大的控制功能模块,与此同时提高企业、微型服务器、平板电脑和超薄客户端应用领域的环保节能性。

MICRON.png

微型DDR4内存特点:

宽度:x4X8x16

电流电压:1.2V

封装:FBGATFBGA

时钟频率:1200MHz1333MHz1600MHz

工作温度:0℃至+95℃、-40℃至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125

深圳市立维创展科技有限公司,以库存MICRON高可靠性内存颗粒芯片和工业级内存条为特色产品优势。欢迎咨询合作。

详情了解MICRON请点击:/brand/54.html

或联系我们的销售工程师:0755-83050846   QQ: 3312069749


推荐资讯

  • 1200V IGBT-SD11428带SiC肖特基体二极管solitron
    1200V IGBT-SD11428带SiC肖特基体二极管solitron 2023-12-26 15:39:03

    solitron SD11428是一款集成了碳化硅肖特基势垒二极管的1200V IGBT。这款坚固耐用的 IGBT 采用扁平 <0.300 高 TO-3 封装,是高可靠性、高密度电源和电机控制应用的理想选择。

  • Renesas RZ 系列基于 64 位和 32 位 Arm 的高端 MPU
    Renesas RZ 系列基于 64 位和 32 位 Arm 的高端 MPU 2021-01-27 17:06:24

    Renesas​ RZ系列产品根据32位和64位arm的高端微处理器(MPU)为未来智能社会发展提供了所需要的处理方案。利用各种基于ArmCortex®-A7、A9、A15、A53、a57和R4,技术工程师可以高效实现高清晰度工业触摸屏(HMI)、嵌入式视觉效果、嵌入式人工智能(e-ai)和实时处理,及其工业以太网衔接。

在线留言

在线留言