onsemi EliteSiC碳化硅MOSFET：650V与1200V型号介绍

　　随着新能源汽车、光伏逆变器、储能系统、服务器电源和快速充电设备不断提高功率密度，传统硅功率器件在高电压、高频率及高温工作条件下面临更高的开关损耗和散热压力。

　　onsemi安森美EliteSiC碳化硅产品覆盖SiC MOSFET、SiC肖特基二极管、SiC JFET、SiC裸芯片和SiC功率模块，可用于高效率AC-DC、DC-DC及逆变器系统。

　　与传统硅MOSFET相比，SiC MOSFET具有更高的阻断电压和导热能力，能够在较高开关频率及高温环境中工作。提高开关频率还可以帮助减小电感、变压器和滤波器等无源器件的尺寸。

　　EliteSiC M3S MOSFET技术特点

　　onsemi EliteSiC M3S系列采用平面型SiC MOSFET技术，主要面向高频开关电源、服务器电源、光伏储能、充电设备和新能源汽车应用。

　　主要特点包括：

　　650V和1200V等耐压等级

　　较低的导通电阻

　　较低的栅极电荷及输出电容

　　支持15V至18V栅极驱动

　　适合高速开关应用

　　支持Kelvin Source开尔文源极结构

　　提供TOLL、TO-247-4L和D2PAK-7L等封装

　　最高结温可达到175°C的部分型号

　　EliteSiC代表型号参数

　　650V和1200V SiC MOSFET如何选择

　　650V SiC MOSFET

　　650V器件通常适用于400V左右的直流母线及相关AC-DC、PFC和服务器电源设计，常见应用包括：

　　图腾柱PFC

　　服务器及AI数据中心电源

　　通信电源

　　光伏微型逆变器

　　UPS和工业电源

　　1200V SiC MOSFET

　　1200V器件能够为高压直流母线和800V系统提供更高电压裕量，主要应用于：

　　新能源汽车主驱及OBC

　　800V汽车DC-DC转换器

　　光伏组串逆变器

　　储能变流器

　　直流快速充电桩

　　工业高压电源

　　SiC功率模块产品

　　除分立式SiC MOSFET外，onsemi还提供全SiC及混合SiC功率模块。产品包括半桥、全桥、Vienna及汽车牵引逆变器模块。

　　部分1200V SiC功率模块用于光伏逆变器的DC-DC级，900V EliteSiC模块则可用于新能源汽车牵引逆变器。模块化产品能够减少分立器件连接，并改善热阻、功率密度和系统装配。

　　onsemi EliteSiC产品供应支持

　　立维创展提供onsemi安森美EliteSiC碳化硅MOSFET、SiC肖特基二极管、SiC JFET及SiC功率模块的型号查询、参数核对与供应支持。

　　如需了解NTBL023N065M3S、NTBL032N065M3S、NTH4L040N120M3S、NVBG022N120M3S及其他EliteSiC产品的规格书、封装、交期和相近型号，可提交完整型号、数量及应用需求进行咨询。