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IC集成电路
安森美半导体(Onsemi)是一家全球领先的半导体制造商,专注于高能效电子创新方案,产品涵盖功率半导体(如SiC/GaN)、模拟芯片、图像传感器及嵌入式处理器,广泛应用于汽车电子(如电动汽车、ADAS)、工业自动化、能源管理及云计算等领域。
深圳市立维创展科技有限公司优势提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC电源转换器模块及碳化硅(SiC)产品,欢迎咨询了解。
NVRGS042N04CL小信号MOSFET
电压:40V
电流:6.6A
NVB055N60S5F N沟道功率MOSFET
最大漏源电压 (VDSS):600V
最大导通电阻 (RDS(on)):55mΩ
最大连续漏极电流 (ID):45A
雪崩电流 (IAS):7A
栅极电压范围 (VGS):±30V
结温范围 (TJ):-55 至 +150°C
UJ3N065025K3S Onsemi SiC JFET
Drain Source Voltage:650-1700V
ID(peak) :16-588A
Typical RDS(on):4.3-400mΩ
Qg :30-830nC
Output capacitance Coss:22-368pF
Onsemi安森美SiC二极管
VRRM :650-1700V
IF(ave) :2-60A
VF (Max):1.6-1.75V
IFSM :21-330A
IR (Max):22-740µA
AC-DC离线开关稳压器
fsw Typ:50-130kHz
RDS(ON) Typ:0.7-34Ω
V(BR)DSS Max:650-880V
IPeak :250-1800mA
UVLO:6.3-7.8
AC-DC离线开关控制器
fsw Typ :0-1000KHz
UVLo:5.5-15.8V
Vcc Max :15-42V
Drive Cap. :200-1000mA
DC-DC电源转换控制器
Vcc Min :3.1~15V
Vcc Max :3.45~700V
fsw Typ :40~2400kHz
温度范围:0°C~260°C
DC-DC电源模块转换器
Vcc Min :0.8V - 9V
Vcc Max:4.5V - 65 V
Vo Typ:0.5V - 40 V
Io Typ:0.25A - 40 A
Efficiency :74%-97%
fsw Typ: 52kHz-6000kHz
NCS025M3E120NF06X 1200V SiC MOSFET
电压:1200V
电流:150A
电阻:11mΩ
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