Onsemi NTMTSC0D9N08XTXG：面向AI服务器电源的80V T10 MOSFET

2026-08-21 14:40:09

NTMTSC0D9N08XTXG是一款面向AI数据中心和服务器电源低压大电流转换级的80V硅MOSFET。它结合PowerTrench T10技术、最大0.90mΩ导通电阻和Dual Cool双面散热封装，可用于48V母线DC/DC、同步整流、热插拔及电源ORing等应用。

Onsemi 1200V EliteSiC M3S MOSFET选型：13–65mΩ型号对比

2026-08-21 14:28:42

Onsemi 1200V EliteSiC M3S系列覆盖约13mΩ至65mΩ的典型导通电阻，并提供TO-247-4L、TO-247-3L和D2PAK-7L封装。选型时不能只比较RDS(on)，还应结合工作电流、栅极电荷、开关损耗、封装寄生参数和散热条件综合判断

Onsemi NXH003P120M3F2PTHG参数：1200V 3mΩ SiC半桥模块

2026-08-19 17:15:10

NXH003P120M3F2PTHG是一款集成两个1200V EliteSiC M3S MOSFET的2-PACK半桥功率模块，典型导通电阻为3mΩ。该器件采用F2封装、HPS DBC基板并集成温度检测热敏电阻，适合高功率、高效率AC/DC、DC/DC及DC/AC转换系统。

Onsemi NTH4L040N120M3S参数：1200V 40mΩ SiC MOSFET选型

2026-08-19 17:01:54

NTH4L040N120M3S是Onsemi EliteSiC M3S系列1200V碳化硅MOSFET，典型导通电阻为40mΩ，采用带Kelvin源极的TO-247-4L封装。其75nC总栅极电荷和80pF输出电容适合兼顾开关速度、驱动损耗与功率密度的工业电源设计。

NTH4L022N120M3S参数：1200V 22mΩ EliteSiC MOSFET

2026-08-19 15:36:39

NTH4L022N120M3S是Onsemi EliteSiC M3S系列1200V碳化硅MOSFET，典型导通电阻为22mΩ，采用带Kelvin源极的TO-247-4L封装。该器件面向光伏逆变器、储能系统、UPS、电动汽车充电桩及高功率开关电源。

Ampleon BLP15M9S70G 70W 1MHz–2GHz LDMOS射频功率晶体管

2026-08-06 10:20:22

Ampleon BLP15M9S70G是一款面向广播、ISM及连续波射频功放的通用型LDMOS功率晶体管，频率范围覆盖1MHz至2GHz，标称输出功率为70W。该器件采用32V工作电压，在915MHz连续波条件下可实现17dB典型功率增益和75%漏极效率，适合需要兼顾宽频覆盖、效率与耐失配能力的射频功率系统。

Q-Tech 200℃高温晶振｜井下钻井与地热设备时钟应用

2026-08-04 14:27:51

介绍Q-Tech QTCH230、QTCH350和QTCH570高温晶振在井下钻井、随钻测量、数据记录及地热监测设备中的应用，并说明频率、封装、温度和稳定度选型方法。

QTCV356与QTCV576区别｜3.2×5mm和5×7mm VCXO选型

2026-08-04 14:16:11

对比Q-Tech QTCV356与QTCV576的封装尺寸、频率范围、输出逻辑、APR及抖动性能，了解3.2×5mm和5×7mm压控晶振如何选择。

QTCT220、QTCT230与QTCT236区别｜Q-Tech微型TCXO选型

2026-08-04 14:04:28

对比Q-Tech QTCT220、QTCT230与QTCT236微型TCXO的封装尺寸、频率范围、输出方式、稳定度及功耗，快速选择Clipped Sine、CMOS、LVDS或LVPECL温补晶振。

QTCT220、QTCT230与QTCT236区别 | Q-Tech微型TCXO选型

2026-08-04 13:52:44

对比Q-Tech QTCT220、QTCT230与QTCT236微型TCXO的封装、频率范围、输出逻辑、供电和稳定度，了解Clipped Sine、CMOS、LVDS及LVPECL温补晶振如何选择。

QTCC576与QTCC578区别 | 5×7mm LVDS/LVPECL晶振选型

2026-08-03 16:15:28

对比Q-Tech QTCC576与QTCC578的输出逻辑、频率范围和相位抖动。QTCC576支持LVDS及LVPECL，QTCC578面向100–250MHz低抖动LVDS时钟应用。

QTCH230 32.768kHz高温RTC晶振 | 200℃ Q-Tech振荡器

2026-08-03 16:04:51

Q-Tech QTCH230是一款2.5×3.2mm高温32.768kHz CMOS晶体振荡器，可支持最高+200℃工作温度，适用于井下钻井、地热设备、数据记录和高温RTC时钟系统。

QT25HF与QT25VHF区别 | Q-Tech LWO与VCLWO振荡器选型

2026-08-03 15:53:01

对比Q-Tech QT25HF与QT25VHF的调谐方式、APR、相位噪声、控制电压及应用区别，了解固定频率LWO和压控VCLWO应如何选择。

Q-Tech QT25HF低相噪振荡器 | 400MHz–1.3GHz Lamb Wave XO

2026-08-03 15:46:28

Q-Tech QT25HF是一款400MHz–1.3GHz混合式Lamb Wave低相噪振荡器，提供3.3V、5V和12V供电，具有9fs典型抖动、低振动灵敏度和宽温工作能力。

D1011UK与D5011UK区别｜28V与50V SO8 RF MOSFET选型

2026-08-03 09:32:26

对比Semelab D1011UK与D5011UK的工作电压、击穿电压、频率、电流能力及电容参数。两款均为10W单端SO8 RF MOSFET，D1011UK适合28V系统，D5011UK适合50V射频放大器。

D5028UK与D5030UK区别｜50V 300W和400W RF MOSFET选型

2026-08-03 09:23:02

对比Semelab D5028UK与D5030UK的输出功率、增益、效率、工作频率、内部结构及生命周期。D5028UK为50V、300W器件，D5030UK规格书标称50V、400W，适用于大功率RF放大器和VHF/UHF通信设备。

D1028UK与D1030UK区别｜300W与400W Semelab RF MOSFET选型

2026-07-31 14:27:12

对比Semelab D1028UK与D1030UK的输出功率、效率、增益、封装、热阻及应用差异。两款均为28V、1–200MHz推挽RF MOSFET，D1028UK输出300W，D1030UK输出400W。

D5011UK 10W 50V 500MHz RF功率MOSFET｜Semelab射频功率管

2026-07-31 14:15:02

D5011UK是Semelab推出的10W、50V单端RF功率MOSFET，采用SO8封装，关键射频参数在500MHz条件下测试，最低增益13dB、最低效率50%，适用于HF、VHF及UHF通信放大电路。

D1030UK 400W 28V RF功率MOSFET｜Semelab射频功率管

2026-07-31 14:03:43

D1030UK是Semelab推出的400W、28V推挽式RF功率MOSFET，应用频率范围1–200MHz，在175MHz测试条件下提供最低13dB增益和50%效率，适用于射频功率放大器、发射机及工业RF设备。

Marvell 88E6390 11端口千兆工业以太网交换芯片

2026-07-30 14:45:27

介绍Marvell 88E6390 11端口工业以太网交换芯片，集成8个千兆PHY、两路2.5G SerDes及RGMII接口，支持IEEE 1588v2、TSN和AVB，适用于工业交换机、嵌入式网关及实时网络设备。