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650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率MOSFET集成了快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想选择
英飞凌的650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET采用 TO-65 封装的 IPP090R7CFD220 非常适合工业应用中的谐振拓扑结构，例如服务器,电信,太阳的和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显着提高效率。作为CFD2 SJ MOSFET半导体场效应管系列，它具有更低的栅极电荷、改进的关断行为和更低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。
订购信息：
| Type / Ordering Code | Package | Marking | Related Links |
| IPP65R090CFD7 | PG-T0220-3 | 65R090F7 | see Appendix A |
功能概要
超快体二极管和极低的 Q 值RR型
650V击穿电压
与竞争产品相比，开关损耗显著降低
最低 RDS(开)与温度的关系
好处
出色的硬换向坚固性
为总线电压增加的设计提供额外的安全裕度
提高功率密度
在工业SMPS应用中具有出色的轻载效率
提高工业SMPS应用中的满载效率
与市场上的替代产品相比，价格竞争力
潜在应用
电动汽车快速充电
服务器电源
太阳能系统解决方案
电信基础设施
Parametrics
