IR高可靠性MOSFETs

重要参数

满足各种需求的创新MOSFET技术

英飞凌的功率MOSFET产品组合

坚固耐用:创新型工业功率MOSFET
杰出性能:汽车功率MOSFET

产品详情介绍

英飞凌的n沟道和p沟道功率MOSFET设计独特,可以带来更高的效率、功率密度和成本效益。

英飞凌是高效发电、电力和功耗解决方案的市场领导者。英飞凌最新一代MOSFET晶体管的设计旨在确保市场领先的性能,提高效率,并基于最新的EMI行为实现更好的散热。

AC-DC应用需要高电压阻断能力和低损耗快速开关,利用革命性的CoolMOS伽马超级结技术实现更高效的电源供应。英飞凌的超结MOSFET可以满足当今各种拓扑的趋势,从简单的反激式到TCM图腾极PFC。设计师从低温、改进形状和更高效率中受益。


ProductVDS max [V]VDS [V]RDS (on) @10V max [mΩ]RDS (on) @4.5V max [mΩ]ID  @25°C max [A]QG typ @10V [nC]QG typ @4.5V [nC]Operating Temperature min [°C]Operating Temperature max [°C]VGS(th) min [V]VGS(th) max [V]VGS(th) [V]
FS05MR12A6MA1B
1200









IPLK60R1K5PFD7600
1500
3.84.6
-551503.54.54
FF08MR12W1MA1_B11A











IPLK60R360PFD7600
360
1312.7
-551503.54.54
IMBG120R090M1H1200


26

-55175


IPLK60R600PFD7600
600
78.5
-551503.54.54
IMBG120R350M1H1200


36

-55175


IPLK60R1K0PFD7600
1000
5.26
-551503.54.54
IMBG120R220M1H1200


13

-55175


IMBG120R045M1H1200


47

-55175


IAUC28N08S5L23080
23
2811.6
-551751.22
IMBG120R060M1H1200


36

-55175


IMBG120R030M1H1200


56

-55175


IAUZ20N08S5L30080
30
208.1
-551751.22
IAUZ40N08S5N10080
10
4018.6
-551752.23.8
IMBG120R140M1H1200


18

-55175


IPZ40N04S5L-7R440
7.4
4013

1751.22
IPP65R125C7650
125
1835
-55
34
IPP65R095C7650
95
2445
-55
34
IPP60R099P7600
99
3145
-5515034
IPB120N04S4-0440


12042


24
IRLR3110Z100
141663
34


1
2.5 
2.5
1.75 
1.75
IPP60R105CFD7600
105
2142
-551503.54.5
IPP60R120P7600
120
2636
-5515034
AUIRFS4310100
7
75170


24
IPD50R280CE500
280
1332.6
-55
2.53.5
IPB017N10N5100
1.7
273168
-551752.23.83
IRF40H21040
1.7
201101


2.23.72.95
IPA80R1K4P7800
1400
410
-551502.53.5
IRFP4768250
17.5
93180


354
IRFB773075
2.6
246271


2.13.72.9
IPAN80R450P7800
450
1124
-551502.53.5
IPP60R120C7600
120
1934
-5515034
IPW60R045CPA600
45
60150


2.53.5
IPI80N06S4-0760
7.1
8043


24

*更多型号请联系我们的销售工程师。